VGF坩堝

  • ● 產品概述
       VGF坩堝是應用于VGF技術中的一類坩堝,垂直梯度凝固法(VGF)技術是目前流行的技術,是微光電子和半導體產業生長GaAs單晶和InP單晶的良好選擇。
    ● 主要特點:
    1.可制作大規格坩堝(最大直徑為8inch,最大高度為18inch);
    2.純度保證(>99.99%);
    3.使用次數多(具有優異的層間結構);
    4.成晶率高(通過對各向異性的調整,保證高的成晶率)。
    ● 主要參數

    性能

    單位

    數值

    密度

    g/cm3

    2.0-2.19

    體積電阻系數

    Ω·cm

    3.11×1011

    抗張強度 (力|| “C”)

    N/mm2

    153.86

    抗彎強度

    (力|| “C”)

    N/mm2

    243.63

    (力⊥“C”)

    N/mm2

    197.76

    顯微硬度

     -

    N/mm2

    691.88

    熱傳導率

     -

    -

    “a”方向    “c”方向

    (200℃)

    W/m·k

           60              2.60

    (900℃)

    W/m·k

          43.70          2.80

    介電強度(室溫)

    KV/mm 

    56

    ● 產品應用:

       用于VGF法合成半導體單晶及Ⅲ-Ⅴ族化合物。
    ● 聯系方式:
       0534-2129266
    * 國晶官網鏈接:www.guojingxincai.com

INDUSTRIAL LAYOUT

產業布局

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